Best Student Award in der Angewandten Physik

Die 14. International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) brachte 1.200 Forschende aus 32 Ländern in der japanischen Stadt Fukuoka zu den aktuellen Fortschritten der lichtstarken Halbleiter der Gruppe-III-Nitride zusammen. Der Doktorand Rodrigo de Vasconcellos Lourenço vom Institut für Angewandte Physik konnte auf der Konferenz einen Best Student Award gewinnen. Auf der Tagung präsentierte der Physiker seine Arbeit zum physikalischen Verständnis der Lichtemission von Quantenfilmen, wie sie etwa in den heute nicht mehr wegdenkbaren weißen LED-Lichtquellen verwendet werden.

Doktorand Rodrigo de Vasconcellos Lourenco mit einem Best Student Award der ICNS. Bildnachweis: Vasconcellos/TU Braunschweig

Eine Herausforderung bei Quantenfilmen sind Punktdefekte wie beispielsweise Stickstoff-Leerstellen, die die Effizienz der Lichtemission massiv beeinträchtigen können. Vasconcellos zeigte, wie diese Punktdefekte durch gezielt gesteuerte Temperaturen beim Wachstum der Strukturen minimiert werden können und dass dies mit einem Diffusionsprozess erklärt werden kann. Mittel- und langfristig trägt die Arbeit dazu bei, die Effizienz der Lichtemission solcher Quantenstrukturen noch besser zu verstehen. Auf längere Sicht werden so weiter verbesserte Lichtemitter für weitere Spektralbereiche denkbar. Dazu zählen beispielsweise die Arbeiten zu strukturierter Beleuchtung auf der Nanoskala im Exzellenzcluster QuantumFrontiers oder die Entwicklung von integrierten Laserquellen im Quantum Valley Lower Saxony (QVLS).

Für seine notwendigen hochpräzisen Messungen standen Vasconcellos im Forschungszentrum LENA mit dem Röntgen-Diffraktometer, der FIB/SEM-Anlage, dem Transmissions-Elektronenmikroskop oder der zeitaufgelösten Spektroskopie im OZOS-Labor hochklassige Großgeräte zur Verfügung.

Der Best Student Award wird an junge Wissenschaftler*innen verliehen, die in ihrer Arbeit, einschließlich Abstract und Präsentation, herausragende Leistungen vorweisen und von denen erwartet wird, dass sie bedeutende Beiträge auf dem Gebiet der Nitridhalbleiter leisten.